Выбор и обоснование элементной базы

Произведем обоснование выбора ИМС, которая будет использована в устройстве, а именно, микросхема И-НЕ, в которой в одном корпусе находится четыре элемента И-НЕ. Анализ произведем с тремя микросхемами, которые являются аналогами друг другу и полностью аналогичны по своей функциональности: HEF4011B, SN74HC00, MM74HC00.

Выбранные для сравнения параметры микросхем и их значения представлены в таблице 3.1. Выбор параметров для сравнения производился исходя из их различия в значениях, т. е. выбирались параметры, значения которых отличаются в рассматриваемых микросхемах, а также, исходя из важности того или иного параметра.

Таблица 3.1 ― Параметры микросхем И-НЕ

Примечание. Pрас ― мощность рассеивания; Vccmax ― максимальное напряжение питания; Tmaxamb ― максимальная температура окружающей среды; tr, tf ― уровень нарастания или спадания; Icc ― ток питания

Произведем выбор оптимальной микросхемы при помощи метода выбора компонентов по матрице параметров.

Если увеличение параметра приведет к ухудшению работы схемы, то необходимо его пересчитать по формуле:

.(3.1)

Таблица 3.2 ― Приведенные параметры Y

Запишем матрицу нормированных параметров. Элементы матрицы рассчитаем по формуле:

Лучшие статьи по информатике

Цифровой термометр
Уровень и направления развития электронных ЦАП и АЦП в значительной степени определялись и продолжают определяться требованиями к техническим и эксплуатацио ...

Обзор программных средств локальных сетей
С распространением ЭВМ нетрудно предсказать рост в потребности передачи данных. Некоторые приложения, которые нуждаются в системах связи, могу ...

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...