Выбор и обоснование элементной базы

Произведем обоснование выбора ИМС, которая будет использована в устройстве, а именно, микросхема И-НЕ, в которой в одном корпусе находится четыре элемента И-НЕ. Анализ произведем с тремя микросхемами, которые являются аналогами друг другу и полностью аналогичны по своей функциональности: HEF4011B, SN74HC00, MM74HC00.

Выбранные для сравнения параметры микросхем и их значения представлены в таблице 3.1. Выбор параметров для сравнения производился исходя из их различия в значениях, т. е. выбирались параметры, значения которых отличаются в рассматриваемых микросхемах, а также, исходя из важности того или иного параметра.

Таблица 3.1 ― Параметры микросхем И-НЕ

Примечание. Pрас ― мощность рассеивания; Vccmax ― максимальное напряжение питания; Tmaxamb ― максимальная температура окружающей среды; tr, tf ― уровень нарастания или спадания; Icc ― ток питания

Произведем выбор оптимальной микросхемы при помощи метода выбора компонентов по матрице параметров.

Если увеличение параметра приведет к ухудшению работы схемы, то необходимо его пересчитать по формуле:

.(3.1)

Таблица 3.2 ― Приведенные параметры Y

Запишем матрицу нормированных параметров. Элементы матрицы рассчитаем по формуле:

Лучшие статьи по информатике

Построение и анализ математической модели объекта управления
Построим математическую модель объекта управления в пространстве состояния Рисунок 2 Структурная схема ОУ В схеме четыре элемента, запасающих э ...

Расчет приемника
- Диапазон принимаемых частот: ДВ, СВ - 65,7 - 73,7 МГц 87,5 - 108,5 МГц - Реальная чувствительность: Е=1,5 мкВ - Выходная мощность: =40 мВт - ...

Проектирование светодиодного табло на микроконтроллере PIC16C84
светодиодный надежность Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми раз ...