Informatics Point
Информатика и проектирование
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,345·10-3 См;
Bн = -1 / Xн=-3,11·10-3См,
Электроакустика и радиовещание
Произвести необходимую планировку (реконструкцию)
помещения с целью использования его в качестве аудитории. Рассчитать
требуемую акустическую обработку внут ...
Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад
Целью
данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных
устройств” является применение знаний полученных ...
Проектирование типовых электронных схем
Разработка
любого радиоэлектронного устройства в настоящее время остается в значительной
степени не техникой, а искусством . Однако за полвека развития
пол ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru