Informatics Point
Информатика и проектирование
Для реализации второго преобразования частоты воспользуемся схемой как и для первого преобразователя, только в место резонансного контура применим кварцевый резонатор с частотой резонанса 2.128 МГц. Схема изображена на рисунке 18. Задача расчета: определение емкостей C2, C3, C4, обеспечивающих режим автогенерации, выбрать резонатор и емкости C5, C6.
Исходными данными для расчета являются параметры резонатора: L, r, C0, fПОСЛ.
Для выбранного резонатора РК6-2110-2150 фирмы НПП «Деко-Кварц» эти параметры составляют:
Значение fГ в небольших пределах зависит от внешней емкости C, которую выбирают из следующих соображений. Увеличение C ослабляет влияние нестабильностей емкостей ИМС, зависящих от температуры, питающих напряжений и времени. При этом значение fГ приближается к fПОСЛ. Однако чрезмерное увеличение C приводит к ухудшению условий самовозбуждения автогенератора и росту рассеиваемой в резонаторе мощности.
Рассчитаем C при частоте генерации равной 2128 кГц.
Далее определяем коэффициенты включения эквивалентного контура в эмиттерную и базовую цепи ИМС (pЭ и pБ) и рассчитываем значения емкостей C2, C3, C4.
Рассчитываем коэффициент включения контура между базами транзисторов из условия обеспечения устойчивой работы генератора:
Задаемся суммарной емкостью последовательно включенных конденсаторов C2, C3, C4 приблизительно равной Са= (0.07…0.15) CК=39пФ (от емкости контура) и рассчитываем:
С учетом входных емкостей ИМС C/2 и C/4 (приблизительно 3…4 пФ) рассчитываем значения:
C2 = CБ - C/2 =98пФ, C4 = CЭ - C/4 =198пФ.
Выбираем стандартные значения емкостей конденсаторов (типовой ряд E24) C2=100пФ, C3=91пФ, C4=200пФ. Рассчитаем величину емкости образуемую этими конденсаторами и вносимую в колебательную систему:
С учетом вносимой емкости рассчитаем емкости C5, C6.
Емкости будут одинаковыми, при этом подключены последовательно, а вносимая емкость паралельно.
Выбираем стандартные значения емкостей конденсаторов (типовой ряд E24) C5=680 пФ, C6=680 пФ.
Полевые транзисторы и их применение
Актуальность
темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные
схемы используются весьма широко в различных устройствах специа ...
Проектная компоновка управляющих вычислительных комплексов
Целью курсового проекта является ознакомление с
техническим обеспечением РСУ на базе программно-технических комплексов (ПТК),
включающих контроллеры ра ...
Трехмерные транзисторы
Один из аспектов повышения процессов обработки информации - получение
конструкции трехмерного транзистора.
Рассматриваются вопросы одного из наиболее прог ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru