Informatics Point
Информатика и проектирование
В качестве УНЧ используем микросхему К174УН4, имеющую достаточный регулируемый коэффициент усиления от 4 до 40.
Требуемый коэффициент усиления УЗЧ при выходной мощности 1 Вт на 4 Омах. Uвыхунч = 2В
Принимаем напряжение на выходе детектора Uвыхд = 80*10-3 В.
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Таблица. Электрические параметры К174УН1
1 |
Номинальное напряжение питания |
9В±10% |
2 |
Ток потребления при Un=9В, Uвх=0В |
10мА |
3 |
Коэффициент усиления при Un=9В, fвх=1 кГц, Uвх=0,1В |
4…40 |
4 |
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при Un = 9B,f„ = 1 кГц, Т=+25 .+55°С |
20% |
5 |
Коэффициент гармоник при Un = 9 В, fex = 1 кГц: К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт, ивых = 2,0 В К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт, ивых = 1,7 В |
2% 2% |
6 |
Входное сопротивление при U„ = 9 В, fex = 1 кГц |
10 кОм |
7 |
Выходная мощность при U„ = 9В, R,, = 4 Ома, Кг2 %: К174УН4А К174УН4Б |
1,0 Вт 0,7 Вт |
8 |
Диапазон рабочих частот при Un = 9 В |
30…20000 Гц |
9 |
Коэффициент полезного действия при Un = 9 В, RH = 4 Ома: К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт |
50% 35% |
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20кГц - не более 3 дб. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом .2,7 кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
На этапе рабочего проектирования выполняется электрический расчет функциональных узлов и отдельных каскадов, составляется принципиальная схема в целом.
Программно управляемый генератор сигнала типа меандр сверхнизкой частоты на микроконтроллере
является
8-ми разрядным CMOS микроконтроллером с низким уровнем энергопотребления,
основанным на усовершенствованной AVR RISC архитектуре. Благодаря выполне ...
Расчет антенны для земной станции спутниковой системы связи (ЗССС)
Зеркальные антенны являются наиболее распространёнными
остронаправленными антеннами. Их широкое применение в самых разнообразных
радиосист ...
Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс
радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ -
устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к
элек ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru