Разработка топологии

На первом этапе заданную электрическую схему необходимо преобразовать таким образом, чтобы все внешние выводы находились на краю длинных сторон и были исключены все пересечения пленочных проводников (рисунок 3.4). Вторым этапом является расчет размеров пассивных элементов гибридной ИМС. Расчёт пленочных резисторов начинается с выбора материала резистивной пленки и проводящей плёнки для выводов. Для этого воспользуюсь таблицей 1 [1]. Выбираю из таблицы 1 способ нанесения плёнки - термическое напыления, а материал изготовления - РС-3001 с удельным сопротивлением Нахожу коэффициенты формы всех резисторов по формуле (16) [1]:

(23)

; ;

; .

Для сопротивления затвора Кз>>50, что недопустимо, поэтому данный резистор лучше спроектировать навесным. Из приложения 6 выбираю тип резистора RЗ Р1- 12 - 2 МОм - 5% размеры которого составляют

З = 3,1 мм, bЗ =1,55 мм.

Для резисторов RС, RЭ, RК Кф< 10; поэтому устанавливается форма прямоугольная, состоящая из одной полоски ( рис.П5а [1]). Выбираю ширину

B = 1,1 мм > bmin = 200 мкм при масочном методе. Вычисляю длину резисторов по формуле (17) [1]:

. (24)

Рассчитываю площадь резисторов по формуле (15) [1]: S = • b. (25)

Каждый резистор должен выдержать мощность формула (14) [1]:

, (26)

где Р0 - удельная мощность рассеяния (значения Ро = 20 мВт/мм2 для материала РС-3001 приведены в таблице 1 [1]).

Произвожу расчёты мощностей, рассеиваемых на резисторах принципиальной схемы (рисунок 2.1) по формуле:

(27)

Для всех резисторов справедливо неравенство РMAX>PR, поэтому по максимальной мощности рассеивания они пригодны для проектирования.

Определяю суммарную площадь, занимаемую всеми резисторами:

(28)

Рассчитываем размеры конденсаторов. Выбираем из таблицы 2 [1] материал изготовления диэлектрика - моноокись кремния с удельной ёмкостью С0 = 100пФ/мм2= 10000пФ/см2. После выбора материала вычисляю площадь конденсаторов:

, (29)

где Ci - емкость рассчитываемого конденсатора; А и В - длина и ширина площадки, занимаемой перекрывающимися частями нижней и верхней обкладок конденсатора (если конденсатор имеет прямоугольную форму). Конфигурация пленочного конденсатора изображена на Рис. П.6 [1].

Ввиду большой занимаемой площади конденсаторами Ср2, Ср3, Ср1 целесообразнее сделать их навесными. Тогда пользуясь приложением 6 [1] выбираю тип конденсаторов электролитических Ср2 и Ср3 К10 - 50 на 5,6 мкФ с точностью 10%; размеры которых составляют L = 3,4 мм, В = 1,9 мм.

Лучшие статьи по информатике

Разработка управляющей программы для микроконтроллера HCS12
Около 55% проданных в мире процессоров приходится на 8ми битные микроконтроллеры. Более 4 млрд. 8ми битных микроконтроллеров продано в 2006. Они установлены ...

Основы построения глобальной системы контроля Эшелон
«Эшелон» - общепринятое название глобальной системы радиоэлектронной разведки и контроля, представляющей собой многонациональную сеть электронных прослушива ...

Построение и анализ математической модели объекта управления
Построим математическую модель объекта управления в пространстве состояния Рисунок 2 Структурная схема ОУ В схеме четыре элемента, запасающих э ...