Informatics Point
Информатика и проектирование
Это устройство от предыдущего транзистора отличается тем, что у него нет встроенного канала между областями истока и стока. При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p-n-переходов будет обязательно заперт.
Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего поперечного электрического поля электроны из областей истока и стока, а также из областей кристалла, будут перемещаться в приповерхностную область по направлению к затвору. Когда напряжение на затворе превысит некоторое пороговое значение, то в приповерхностном слое концентрация электронов повысится настолько, что превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т.е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. Чем больше положительное напряжение на затворе, тем больше проводимость канала и больше ток стока.
Таким образом, такой транзистор может работать только в режиме обогащения. Вид его выходных характеристик и характеристики управления показан на рис. 6.
Рис. 6. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа
Если кристалл полупроводника имеет электроприводность n-типа, то области истока и стока должны быть p-типа. Такого же типа проводимости будет индуцироваться и канал, если на затвор подавать отрицательное напряжение относительно истока.
Графическое изображение полевых транзисторов с изолированным затвором показано на рис. 7.
Рис. 7. Условные графические обозначения МДП-транзистора индуцированным каналом n-типа (а) и p-типа (б)
Выводы:
Полевой транзистор с изолированным затвором это полупроводниковый прибор, в котором управляющий электрод отделен от токопроводящего канала слоем диэлектрика.
В отличие от полевого транзистора с управляющим p n-переходом входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором остается очень большим при любой полярности поданного на вход напряжения.
Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала свободными носителями заряда.
Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения.
Основными достоинствами полевого транзистора являются его большое сопротивление по постоянному току и высокая технологичность. Последнее обусловливает широкое применение полевых транзисторов при разработке микросхем. [1]
Разработка и проектирование беспроводной компьютерной сети класса
Монтаж
кабеля проводной сети в труднодоступных местах, систематические выдёргивания
кабеля из компьютера - все эти проблемы с проводной сетью существуют во ...
Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
Развитие
микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в
устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...
Проектирование телевизионного приемника
электрический напряжение приемник телевизионный
Цель курсового проекта: закрепить знания,
полученные при изучении теоретической части дисциплины, привить навы ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru