Ремонт смартфона HTC One X

)Модульный ремонт.

)Компонентный ремонт.

)Программный ремонт.

1) Производиться замена модулей, таких как антенный блок, корпус, модуль тачскрина и дисплея ( в HTC One X ‘эти две детали нераздельные), аккумулятора, камеры. На рисунке 4 представлена замена модуля тачскрина и дисплея на HTC ONE X

Рисунок 4 Замена модуля тачскрина и дисплея на HTC One X

2) Если при диагностике смартфона было обнаружено короткое замыкание, его нужно убрать. Обычно место на системной плате в котором находится короткое замыкание не трудно обнаружить. Короткое замыкание происходит от попадания токопроводящей жидкости или падения. В месте попадания токопроводящей жидкости возникают окисления и коррозия, при падении под микроскопом можно разглядеть микротрещины на системной плате или микросхемах. В случаях попадания токопроводящей жидкости иногда помогает химическая чистка при помощи специальной щетки и раствора «flux off»,если химическая чистка не помогла то нужно производить прогрев или замену поврежденного компонента (микросхемы). Процесс прогрева микросхемы: На поврежденную микросхему наносится легко испаряемый флюс, при помощи термовоздушного фена при температуре 450 градусов Цельсия микросхема нагревается до тех пор пока не будут видны ели заметные движения микросхемы, ждем до полного остывания микросхемы, производим химическую чистку в месте прогрева. Процесс замены микросхемы: На поврежденную микросхему наносится легко испаряемый флюс, при помощи термовоздушного фена при температуре 450 градусов Цельсия микросхема нагревается до тех пор пока не будут видны ели заметные движения микросхемы, поднимаем микросхему при помощи пинцета. На системной плате в месте где находилась микросхема, заменяем старый припой контактов на легкоплавкий припой, производим химическую чистку и наносим тонким слоем легко испаряемый флюс. На место старой микросхемы устанавливаем новую (На большинстве новых микросхем шарики припоя BGA уже накатаны) нагреваем при помощи термовоздушного фена микросхему до 350 градусов Цельсия до того момента пока микросхема немного не осядет, ждем до полного остывания микросхемы, производим химическую чистку в месте замены микросхемы. На рисунке 5 представлена замена микросхемы питания HTC One X. На рисунке 6 представлена не рабочая (снятая) микросхема питания HTC One X под микроскопом.

3)На устройстве зажимаются кнопка включения и кнопка уменьшения громкости, если на устройстве запускается меню bootloader, то на смартфоне возможно восстановление операционной системы при помощи программы формата расширения .exe в котором находится прошивка и алгоритм её восстановления на устройстве. Если смартфон не определяется компьютером и не запускает меню Bootloader, есть возможность восстановить Bootloader с помощью специализированного устройства «Riff Box». «Riff Box» использует JTAG шину устройства и через нее восстанавливает bootloader смартфона, вместе с «Riff Box» в комплект входит специализированная программа для персонального компьютера , в которой можно скачать прошивку bootloader почти для любого смартфона HTC . К каждой прошивке прилагается картинка с распиновкой JTAG выходов на системной плате.

Рисунок 5 Замена Микросхемы питания на HTC One X.

Рисунок 6 не рабочая (снятая) микросхема питания HTC One X под микроскопом

Заключение

android микросхема ремонт

В ходе работы над курсовым были приобретены навыки замены и прогрева микросхем, замены программного обеспечения смартфона, замены модульных запчастей смартфона. А так же обнаружение короткого замыкания на системной плате HTC One X.

Лучшие статьи по информатике

Основы разработки карманного осциллографа
Осциллограф - прибор, предназначенный для исследования электрических сигналов во временном области путём визуального наблюдения графика сигнала на экран ...

Разработка сети мониторинга поездной радиосвязи ОАО РЖД
Радиосвязь занимает одно из ведущих мест в общей системе экономического обеспечения страны. Она довольно проста в построении, оперативна в организации, экон ...

Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей прокатки. По ...