Informatics Point
Информатика и проектирование
- заряд электрона; q =
Кл;
Поставляя значения в формулу, получили:
Тепловой ток определяется из выражения:
I0 = (трутко)
где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81
S - площадь перехода, S = м2
- собственная проводимость полупроводника,
,
- проводимость соответствующих слоев,
Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3
,
Ом м
Ln, Lp - диффузионные длины носителей заряда, которые можно найти с помощью формул:
где Dp, Dn - коэффициенты диффузии дырок и электронов
(королев)
,
- время жизни дырок и электронов
,
= 2.5 * 10-3 сек (королев)
В итоге получили
ВАХ
Барьерная емкость
где - относительная диэлектрическая проницаемость кремния , = 11.8;
- электрическая постоянная, 𝜀0 = 8,85419·10-12 Ф/м;
S - площадь перехода, S = м2;
- высота потенциального барьера определяется формулой
где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81
ρi = 2.3·103 Ом·м;
,
- удельные сопротивления соответствующих слоёв, для кремния
Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3
,
Ом м
Подставляя в числовые значения, в итоге получили:
= 0.76 В
l -ширина перехода
Поставляя значения получаем
l =
Барьерная емкость
Диффузионная емкость
Технология TriplePlay
Сегодня
во множестве источников можно узнать, что мировая телекоммуникационная отрасль
находится в состоянии грандиозной реконструкции, связанной с конверге ...
Проектирование коммутационной системы узловой АТС
Цель
Разработка и настройка местной телефонной сети для узловой АТС.
1 Сформировать данные заказчика для проектирования сети связи.
2 Пр ...
Способы соединения компьютеров в ЛВС
В
настоящие дни во многих организациях и предприятиях широко применяются
локальные вычислительные сети, сокращенно ЛВС. Они обеспечивают совместную
работу ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru