Informatics Point
Информатика и проектирование
- заряд электрона; q =
Кл;
Поставляя значения в формулу, получили:
Тепловой ток определяется из выражения:
I0 = (трутко)
где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81
S - площадь перехода, S = м2
- собственная проводимость полупроводника,
,
- проводимость соответствующих слоев,
Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3
,
Ом м
Ln, Lp - диффузионные длины носителей заряда, которые можно найти с помощью формул:
где Dp, Dn - коэффициенты диффузии дырок и электронов
(королев)
,
- время жизни дырок и электронов
,
= 2.5 * 10-3 сек (королев)
В итоге получили
ВАХ
Барьерная емкость
где - относительная диэлектрическая проницаемость кремния , = 11.8;
- электрическая постоянная, 𝜀0 = 8,85419·10-12 Ф/м;
S - площадь перехода, S = м2;
- высота потенциального барьера определяется формулой
где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81
ρi = 2.3·103 Ом·м;
,
- удельные сопротивления соответствующих слоёв, для кремния
Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3
,
Ом м
Подставляя в числовые значения, в итоге получили:
= 0.76 В
l -ширина перехода
Поставляя значения получаем
l =
Барьерная емкость
Диффузионная емкость
Оборудование Среда-1
Автоматизация
технологического процесса - совокупность методов и средств, предназначенная для
реализации системы или систем, позволяющих осуществлят ...
Проектирование автоматизированного реабилитационного устройства, предназначенного для реабилитации кистевого сустава человека
В современном мире нас повсюду окружают новейшие достижения техники.
Невозможно представить ни одну из сфер деятельности человека без использования
мехатрон ...
Разработка плана реконструкции с заменой аналоговой АТС на цифровую АТС Алмаз-1
В последние годы на телефонных сетях Российской Федерации внедряются
новые системы АТС и узлы коммутации, которые обеспечивают качественную и
надежную связь ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru