Построение динамической нагрузочной прямой и графический расчет амплитуд сигналов

В этом разделе построим кривые входного и выходного сигнала и найдем амплитуды входных и выходных токов и напряжений. Этим значениям тока на динамической нагрузочной прямой соответствуют точки пересечения прямой и выходных характеристик транзистора, соответствующих входным токам.

Нанесем на выходную характеристику (рис. 10) статическую нагрузочную прямую под углом б и динамическую нагрузочную прямую под углом б’. Она получается из-за влияния сопротивления нагрузки RН на работу каскада.

Рис.10. Выходные характеристики с нагрузочными прямыми.

Определить тангенс угла наклона статической нагрузочной прямой к оси напряжений можно по следующей формуле:

Рассчитаем тангенс угла наклона нагрузочной прямой к оси напряжений с учетом сопротивления нагрузки RН. Сопротивление нагрузки RН =1000 (Ом) соединяется по переменному сигналу параллельно с сопротивлением RК и общее сопротивление RК’ вычисляется по следующей формуле:

Рис. 11. Фрагмент схемы, поясняющий соединение сопротивлений RК и RН.

.

Рассчитаем тангенс угла наклона динамической нагрузочной прямой:

По расчетам можно сделать следующие выводы:

1. теор =граф , 2. >, так как >.

На динамической нагрузочной прямой необходимо найти точки, соответствующие максимальному и минимальному токам базы:

Iбмакс=Iоб+Iмб=0,9+0,5=1,4(мА), Iбмин=Iоб-Iмб=0,9-0,5=0,4(мА).

Искомые точки определяются пересечением динамической нагрузочной прямой и выходных характеристик, соответствующих этим токам (рис.10). По входной характеристике транзистора определяем амплитуду напряжения на базе (рис.11). По найденным точкам определяем координаты максимального и минимального значений тока коллектора и напряжения между коллектором и эмиттером.

Из рис.10 находим: IКМАКС=18 мА, IКМИН=4,5 мА, UКЭМАКС=33 В, UКЭМИН=7 В, из рис 12 находим: UБЭМАКС=0,29 В, UБЭМИН-=0,18 В.

По найденным значениям определяем амплитуды входных и выходных напряжений и выходного тока:

Лучшие статьи по информатике

Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей с большим числом датчиков и исполнительных меха ...

Полевые транзисторы и их применение
Актуальность темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные схемы используются весьма широко в различных устройствах специа ...

Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ - устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к элек ...