Расчет делителя в цепи базы

На практике сквозной ток делителя выбирают из условия

Iд=(3÷10) Iб рт=5 0,2=1мА

Согласно закону Ома, сопротивление резистора

(2) (3)

По ряду Е24 выбираем сопротивление = 2,4 кОм

Производим пересчёт

(4)

Далее произведем расчет резистора RБ1 по формуле (5)

(5)

По ряду Е24 выбираем сопротивление = 11 кОм

.Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам

По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех

h-параметров: входное сопротивление h11э, статический коэффициент передачи тока

базы транзистора h21э и выходную проводимость h22э.

Входное сопротивление h11э=ΔUБЭ/ΔIБ при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ=const) определяют по входным характеристикам транзистора.

Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔUБЭ симметрично относительно рабочей точки (рисунок 6)

и определим соответствующее приращение тока базы ΔIБ.

Рисунок 6. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора

(6)

Статический коэффициент передачи тока базы транзистора h21э= ΔIк/ ΔIБ при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора(UКЭ=const) определяют по выходным характеристикам транзистора.

Для нахождения параметра h21э необходимо задать приращение тока базы ΔIБ и определить соответствующее приращение тока коллектора ΔIк, (рисунок 7).

(7)

Выходную проводимость =ΔIк/ ΔUкэ в режиме холостого хода на входе транзистора (Iб=const) определяют также, как и параметр по выходным характеристикам транзистора(рисунок 8).

(8)

Четвертый параметр-коэффициент обратной связи по напряжению по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно.У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению .

Лучшие статьи по информатике

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...

Полевые транзисторы и их применение
Актуальность темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные схемы используются весьма широко в различных устройствах специа ...

Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей с большим числом датчиков и исполнительных меха ...