Informatics Point
Информатика и проектирование
Материал, который будет применяться в качестве основы для ПП, должен обладать высокими электроизоляционными свойствами, иметь достаточную механическую стойкость и быть устойчивым к механическим воздействиям. Эти критерии удовлетворяют такие электротехнические материалы, как стеклотекстолит, фторопластовая пленка, керамика и другие.
Основными материалами для изготовления ДПП являются гетинакс и стеклотекстолит. Стеклотекстолит ― спрессованные слои стеклотканей, пропитанные эпоксидной смолой. Гетинакс ― спрессованные слои электроизоляционной бумаги, пропитанные фенольной смолой. Оба материала имеют малую водопроницаемость, большое поверхностное сопротивление.
В качестве материала для изготовления проектируемой печатной платы выбираем стеклотекстолит фольгированный СФ-2-35-1,5 ГОСТ 10316-78, так как стеклотекстолит превосходит гетинакс по всем электрическим и механическим параметрам и уступает по экономическим показателям. Поскольку в техническом задании экономические показатели изготовления данного устройства не оговорены, то этот критерий является менее важным, чем электромеханические параметры.
Приведем значения электрических характеристик стеклотекстолита фольгированного СФ-2-35-1,5:
· удельное поверхностное сопротивление: 1,0∙1012 Ом;
· удельное объемное сопротивление: 1,0∙1011 Ом·м;
· тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 1МГц: 0,025;
· диапазон рабочих температур: (-60…+155) °С;
· диэлектрическая проницаемость при частоте 1 МГц: ε = 6,0.
Радиотехничесакие средства
радиотехника передатчик генератор каскад
Практика была организована в радиотехническом учебном центре (РТУЦ)
Ленинградской военно-морской базы (ЛенВМБ), базир ...
Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В
МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа
нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости
порогового
Напряжения
от кон ...
Программно управляемый генератор сигнала типа меандр сверхнизкой частоты на микроконтроллере
является
8-ми разрядным CMOS микроконтроллером с низким уровнем энергопотребления,
основанным на усовершенствованной AVR RISC архитектуре. Благодаря выполне ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru