Informatics Point

Информатика и проектирование

Расчет усилителя на биполярном транзисторе

Рассчитать усилительный каскад на транзисторе. Схема включения транзистора - с общим эмиттером (рис 1), тип транзистора, напряжение питания и нижняя граничная частота указанны в таблице 1. Расчет проводится графоаналитическим методом по справочным ВАХ транзистора.

В результате расчета должны быть определены параметры резисторов и конденсаторов схемы, а также по схеме замещения в h-параметрах - коэффициенты усиления, входное и выходное сопротивления по переменному току в режиме холостого хода и при подключенной нагрузке. При этом принять Rг=0.1.Rвх, Rн=Rвх. Все номиналы резисторов и конденсаторов должны быть выбраны из стандартных рядов (Е 24). Смотрите информацию ауди сервис на сайте.

Завершается расчет определением коэффициента усиления мощности и КПД каскада.

Рис.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером

таблице 1

Тип транзистора

Материал

Структура

Uкэ0, В

Uкэ0(и), В

Iкмакс, мА

Iкмакс, мА

Ркмакс, Вт

Ркмакс, Вт

h21э min

h21э max

frp, МГц

КТ312В

Si

n-p-n

20

20

30

60

0,225

0,225

50

280

120

Корпус:

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-базакбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базакэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттеркэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттеркmax - Максимально допустимый постоянный ток коллекторакmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллекторакmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводакmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомэ - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромкбо - Обратный ток коллекторагр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Кш - коэффициент шума биполярного транзистора

Расчет режима по постоянному току.

Для заданного типа транзистора перерисовать входные и выходные характеристики для схемы ОЭ, увеличив, по возможности, масштаб.

Определить предельно допустимые значения , , , и тип транзистора n-p-n.

U

5

10

15

20

I

0,045

0,0225

0,015

0,01125

Построить область безопасной работы (ОБР) на выходной ВАХ транзистора, пользуясь соотношением

.

Рис. 2. ВАХ КТ312В

Выбрав , построим линию нагрузки на выходных ВАХ транзистора по точкам:

а) ,

б) , , Ом

По точкам пересечения линии нагрузки с выходными ВАХ построить переходную характеристику . Определить границы линейных участков на входной и переходной ВАХ .

Перейти на страницу: 1 2 3

Лучшие статьи по информатике

Проектирование системы атмосферной оптической связи
В настоящее время на мировом рынке САОС прочно заняли определенную нишу, так как эта технология является вполне достойным конкурентом стационарной радиосвя ...

Проектирование радиоприемного устройства
Электромагнитное поле в месте радиоприема создается многими естественными и искусственными источниками. Очень малую часть этого поля составляет нужный сигна ...

Частотно-территориальное планирование сети сотовой подвижной связи стандарта GSM
Линии радиосвязи, входящие в состав сотовых сухопутных подвижных систем электросвязи (ССПСЭ) и спутниковых систем связи, обычно работают в диапазонах ультра ...

Меню сайта