Informatics Point

Информатика и проектирование

Расчет усилителя на биполярном транзисторе

Рассчитать усилительный каскад на транзисторе. Схема включения транзистора - с общим эмиттером (рис 1), тип транзистора, напряжение питания и нижняя граничная частота указанны в таблице 1. Расчет проводится графоаналитическим методом по справочным ВАХ транзистора.

В результате расчета должны быть определены параметры резисторов и конденсаторов схемы, а также по схеме замещения в h-параметрах - коэффициенты усиления, входное и выходное сопротивления по переменному току в режиме холостого хода и при подключенной нагрузке. При этом принять Rг=0.1.Rвх, Rн=Rвх. Все номиналы резисторов и конденсаторов должны быть выбраны из стандартных рядов (Е 24). Смотрите информацию ауди сервис на сайте.

Завершается расчет определением коэффициента усиления мощности и КПД каскада.

Рис.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером

таблице 1

Тип транзистора

Материал

Структура

Uкэ0, В

Uкэ0(и), В

Iкмакс, мА

Iкмакс, мА

Ркмакс, Вт

Ркмакс, Вт

h21э min

h21э max

frp, МГц

КТ312В

Si

n-p-n

20

20

30

60

0,225

0,225

50

280

120

Корпус:

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-базакбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базакэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттеркэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттеркmax - Максимально допустимый постоянный ток коллекторакmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллекторакmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводакmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомэ - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромкбо - Обратный ток коллекторагр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Кш - коэффициент шума биполярного транзистора

Расчет режима по постоянному току.

Для заданного типа транзистора перерисовать входные и выходные характеристики для схемы ОЭ, увеличив, по возможности, масштаб.

Определить предельно допустимые значения , , , и тип транзистора n-p-n.

U

5

10

15

20

I

0,045

0,0225

0,015

0,01125

Построить область безопасной работы (ОБР) на выходной ВАХ транзистора, пользуясь соотношением

.

Рис. 2. ВАХ КТ312В

Выбрав , построим линию нагрузки на выходных ВАХ транзистора по точкам:

а) ,

б) , , Ом

По точкам пересечения линии нагрузки с выходными ВАХ построить переходную характеристику . Определить границы линейных участков на входной и переходной ВАХ .

Перейти на страницу: 1 2 3

Лучшие статьи по информатике

Нелинейный локатор
Большинство людей, которые мало знакомы с особенностями технического шпионажа, полагают, что подслушивающие устройства представляют собой исключительно ради ...

Проектирование светодиодного табло на микроконтроллере PIC16C84
светодиодный надежность Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми раз ...

Трехмерные транзисторы
Один из аспектов повышения процессов обработки информации - получение конструкции трехмерного транзистора. Рассматриваются вопросы одного из наиболее прог ...

Меню сайта