Informatics Point
Информатика и проектирование
Рассчитать усилительный каскад на транзисторе. Схема включения транзистора - с общим эмиттером (рис 1), тип транзистора, напряжение питания и нижняя граничная частота указанны в таблице 1. Расчет проводится графоаналитическим методом по справочным ВАХ транзистора.
В результате расчета должны быть определены параметры резисторов и конденсаторов схемы, а также по схеме замещения в h-параметрах - коэффициенты усиления, входное и выходное сопротивления по переменному току в режиме холостого хода и при подключенной нагрузке. При этом принять Rг=0.1.Rвх, Rн=Rвх. Все номиналы резисторов и конденсаторов должны быть выбраны из стандартных рядов (Е 24). Смотрите информацию ауди сервис на сайте.
Завершается расчет определением коэффициента усиления мощности и КПД каскада.
Рис.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером
таблице 1
Тип транзистора |
Материал |
Структура |
Uкэ0, В |
Uкэ0(и), В |
Iкмакс, мА |
Iкмакс, мА |
Ркмакс, Вт |
Ркмакс, Вт |
h21э min |
h21э max |
frp, МГц |
КТ312В |
Si |
n-p-n |
20 |
20 |
30 |
60 |
0,225 |
0,225 |
50 |
280 |
120 |
Корпус:
Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-базакбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базакэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттеркэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттеркmax - Максимально допустимый постоянный ток коллекторакmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллекторакmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводакmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомэ - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромкбо - Обратный ток коллекторагр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора
Расчет режима по постоянному току.
Для заданного типа транзистора перерисовать входные и выходные характеристики для схемы ОЭ, увеличив, по возможности, масштаб.
Определить предельно допустимые значения , , , и тип транзистора n-p-n.
U |
5 |
10 |
15 |
20 |
I |
0,045 |
0,0225 |
0,015 |
0,01125 |
Построить область безопасной работы (ОБР) на выходной ВАХ транзистора, пользуясь соотношением
.
Рис. 2. ВАХ КТ312В
Выбрав , построим линию нагрузки на выходных ВАХ транзистора по точкам:
а) ,
б) , , Ом
По точкам пересечения линии нагрузки с выходными ВАХ построить переходную характеристику . Определить границы линейных участков на входной и переходной ВАХ .
Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом
нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей
прокатки.
По ...
Характеристика аппаратуры на ООО Заполярпромгражданстрой
В соответствии с учебным планом я проходил учебную практику в
обществе с ограниченной ответственностью «Заполярпромгражданстрой» с 22 апреля
2013 года по 12 ...
Проектная компоновка управляющих вычислительных комплексов
Целью курсового проекта является ознакомление с
техническим обеспечением РСУ на базе программно-технических комплексов (ПТК),
включающих контроллеры ра ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru