Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Проектирование устройств электронной техники
Курсовой
проект является одним из этапов изучения дисциплины «Электрические цепи и
микросхемотехника» и имеет своей целью приобретение навыков проектировани ...
Проектирование радиоприемного устройства
радиосигнал приемник частота демодулятор
Радиоприемное устройство - одно из важнейших и необходимых
элементов любой радиотехнической системы передачи сооб ...
Проектирование микропроцессорного устройства
Спроектировать
микропроцессорное устройство содержащее МП, системный контроллер, адресные
буферы, ОЗУ, ПЗУ, порт ввода/вывода, адресный дешифратор.
...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru