Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Характеристика аппаратуры на ООО Заполярпромгражданстрой
В соответствии с учебным планом я проходил учебную практику в
обществе с ограниченной ответственностью «Заполярпромгражданстрой» с 22 апреля
2013 года по 12 ...
Электромагнитная совместимость средств связи
Исходные данные для прогнозирования ЭМС
Мощность передатчика РРЛ, Вт;
Частота сигнала передатчика РРЛ, МГц;
Высота установки антенны передатчика РР ...
Проектирование цифровых каналов передачи
Непрерывный и всё ускоряющийся рост материального производства, прогресс
в области науки техники, создание координационных и вычислительных центров и
всё во ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru