Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Схемотехника параметрических, линейных и импульсных стабилизаторов напряжения постоянного тока
Для выполнения курсовой работы были выбраны две схемы источников
вторичного электропитания с линейным и импульсным регулированием.
Импульсное регулировани ...
Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация
производства является на современном этапе важнейшим фактором
научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе
...
Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая
система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую
аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru