Informatics Point
Информатика и проектирование
реактивное:
Ом,
Входная проводимость в параллельном эквиваленте
Yвх = Gвх + jBвх = 1 / (Rвх + jXвх)=(0,047+I · 0,12)См
Потребляемая мощность P0 = Ik0 / Eп=0,42Вт
Коэффициент полезного действия η = Pвых / P0=26,19%
Коэффициент усиления по мощности Kp = k2iRkn / rвх1=1,77
Мощность возбуждения на входе умножителя Pвх = Pвых / Kp=0,062Вт
Мощность, рассеиваемая в транзисторе Pрас = P0 - Pвых + Pвх =0,302Вт< Pрас доп
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,00182 См; Bн = -1 / Xн=-0,018См,
Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В
МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа
нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости
порогового
Напряжения
от кон ...
Практическая реализация универсального программно-аппаратного лабораторного комплекса автоматизации измерений
Возрастание
количества измерений, нарастание сложности аппаратуры, повышение требований к
точности, расширение использования математических методов обработк ...
Оборудование Среда-1
Автоматизация
технологического процесса - совокупность методов и средств, предназначенная для
реализации системы или систем, позволяющих осуществлят ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru