Расчет фильтра сосредоточенной избирательности

Для расчета ФСС можно использовать семейство обобщенных резонансных кривых, показанных на рис. 9

По оси абсцисс отложена относительная расстройка , соответствующая абсолютной расстройке , - ослабление, создаваемое одним звеном. Кривые построены для различных значений параметра , где d - собственное затухание контуров ФСС. Значение d выбирают равным 0.0025….0.005, зададимся d = 0.005

Определим величину

Возьмем число звеньев ФСС=3.

Определим ослабление на границе , создаваемое одним звеном:

По графику на рис. 6 определим параметр ,

Рис. 6

из графика он равен 0.97, определим разность частоты среза:

МГц

Вычислим значение относительной расстройки при

,

Определим параметр

По графику на рисунке 7 найдем ослабление соседнего канала обеспечивающее одним звеном:

Рис. 7

(дБ)

Определим общее расчётное ослабление фильтра на частоте соседнего канала:

(дБ),

где =3 6 дБ - ухудшение избирательности фильтра из-за рассогласования фильтра с источником сигнала и нагрузкой. Пусть =3 дБ

Так как равно ослаблению по соседнему канала то можно считать что фильтр содержит оптимальное количество звеньев и обладает необходимой избирательностью.

Приведу справочные данные на транзистор:

Рис. 8

Параметры транзистора:

в11э =1.8 мСм

g11э =3.3 мСм

в21э =-28 мСм

g21э =30 мСм

в22э =0.5 мСм

g22э =0.21 мСм

Зададим величину характеристического сопротивления фильтра

w0 = 1…50 кОм.

Обычно величину w0 выбирают из условия:

w0 (кОм) · fпч (МГц) ≤ 100

Из этого условия:

w0 (кОм) ≤ 100 / fпч (МГц)

w0 ≤ 100 / 15 = 6,67 кОм

Лучшие статьи по информатике

Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация производства является на современном этапе важнейшим фактором научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе ...

Элементная база для построения цифровых систем управления
Микроэлектроника - это комплексная область знаний, объектом изучения и разработки которой являются функционально сложные ИС, их структура, технология, диагн ...

Полевые транзисторы и их применение
Актуальность темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные схемы используются весьма широко в различных устройствах специа ...