Informatics Point
Информатика и проектирование
Выбираем индуктивность контура Lк1 = Lк2= L которая равна индуктивности, найденной дла ВЦ
Lк1 = Lк2 = 0,174 (мк Гн)
Выберем коэффициент подключения контура к транзистору m1 = 0,2 …1. Возьмем значение m1 = 0,3.
Поскольку связь транзистора с контуром трансформаторная, определим Lсв=L*m1=0.174*0.3=0.052 (мк Гн)
Определим коэфициент включения в контур из условия обеспечения необходимой полосы пропускания и ослабления по зеркальному каналу:
Здесь d - собственное затухание контура, dэр - эквивалентное затухание контура каскада, которое обеспечивает требуемое ослабление зеркального канала, gвых = g22э, gвх2 - входная проводимость следующего каскада gвх2 = g11 поскольку следующий каскад - смеситель на аналогичном транзисторе.
dэр = 0.04
d=0.005 из табл. 2
=0.33
=0.31
Определим коэффициент из условия:
= 0.32
Таким образом УВЧ обеспечивает как необходимую полосу пропускания так и ослабление по зеркальному каналу.
Резонансный коэффициент усиления
где - эквивалентное затухание контура
0.038
мСм
27.3
Ёмкость конденсатора контура равна ёмкости конденсатора контура входной цепи
Ск= 8 (пФ)
Физические принципы работы и способы применения обнаружителей пустот
Для получения доступа к сведениям, носящим конфиденциальный
характер, в любой организации средствами технической разведки злоумышленника
(чащ ...
Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный
В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей
с большим числом датчиков и исполнительных меха ...
Проектирование микроконтроллера
Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в
промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми
разнообразными объектами и ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru