Расчет оконечного каскада усиления

В данном устройстве, которое необходимо рассчитать использован транзистор серии 2Т970А.

К его параметрам относятся:

1. Статический коэффициент передачи по току h21э0 = 20

. Сопротивление материала базы rб = 0.5 Ом

. Сопротивление материала эмиттера rэ = 0.15 Ом

. Сопротивление насыщения rнас = 0.4 Ом

. Напряжение отсечки Е'б = 0.3 В

. Граничная частота передачи по току fт = 1000 МГц

. Емкость коллекторного перехода Ск = 150 пФ

. Емкость эмиттерного перехода Сэ = 1800 пФ

. Индуктивность эмиттерного вывода Lэ = 0.2 нГн

. Индуктивность базового вывода Lб = 1 нГн

. Индуктивность коллекторного вывода Lк = 0.87 нГн

Допустимые параметры:

. Предельное напряжение на коллекторе - эмиттере Екэдоп = 50 В

. Предельное напряжение на коллекторе Екдоп = 28 В

. Предельное напряжение на базе - эмиттере Ебэдоп = 13 В

. Допустимое значение постоянной составляющей коллекторного тока Iк0доп = 1 А

Экспериментальные параметры:

16. Рабочая частота диапазона fраб = 500 МГц

17. Мощность в нагрузке Р’н = 100 Вт

. Коэффициент усиления по мощности К’р = 5

. КПД ГВВ η = 50 %

20. Напряжение питания Еп = 28 В. Выберем напряжение из нормали стандартных напряжений Еп = 30 В.

. Постоянная времени коллекторного перехода τк = 12 пс

. Допустимая температура перехода tдоп = 160 ˚С

Лучшие статьи по информатике

Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
Развитие микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...

Проектирование приборов времени
В данной курсовой работе предстоит спроектировать часовой механизм с целью закрепления теоретических сведений, полученных при прослушивании курса лекций, и ...

Таймер на микроконтроллере MSP430F2013
Практически в любой современной электронной технике можно найти микроконтроллеры. Столь широкое применение этих микросхем обусловлено чрезвычайно удачным со ...