Расчет элементов структурной схемы предоконечного (ПОК) и оконечного каскада (ОК) усиления мощности

вхVT1,2= PVT1,2' /КР1,2=19 Вт

Мощность, подаваемая на два транзистора со схемы деления составляет

* PвхVT1,2 =38 Вт.

КПД схемы деления мощности ηдел = 0,9, значит на её входе необходимо иметь

вхдел=38/ ηдел= 42 Вт

При выборе следующего транзистора руководствуемся теми же соображениями, что и в предыдущий раз. Поэтому выберем такой же транзистор: 2Т970А.

На входе этого транзисторного УМ, следовательно имеем

вхVT3= Pвхдел / КР3= 8.4 Вт

Между двумя УМ необходимо использовать цепь согласования (ЦС) из-за неравенства выходного сопротивления предыдущего УМ входному сопротивлению последующего. Без использования ЦС УМ работает на комплексную нагрузку, что уменьшает отдаваемую им мощность. Помимо этого ЦС также должна отфильтровывать высшие гармоники рабочей частоты, чтобы они не усиливались последующими УМ. ЦС не должна оказывать значительного влияния на сигнал. КПД ЦС ЦС= 0.9.

Мощность на входе ЦС с учётом КПД:

РЦС1= PвхVT3/ЦС= 9.4 Вт

Выбираем транзистор, учитывая значение мощности, которое необходимо получить на его выходе: 2Т934А

fраб = 400 МГц

Рн = 10 Вт

Кр = 2

Еп = 28 В

Схема включения: ОЭ

Режим работы: класс В

Рассчитаем мощность на его входе:

вхVT4 =

РЦС1 / КР4= 4.7 Вт

Полученный уровень мощности может быть обеспечен возбудителем, следовательно, тракт усиления мощности состоит из 3-х усилительных ступеней, одной цепи согласования, схемы деления и схемы сложения мощностей.

Структурная схема ПОК и ОК усиления мощности приведена на рис. 4

Рисунок 4. Структурная схема ПОК и ОК усиления мощности.

Лучшие статьи по информатике

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...

Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация производства является на современном этапе важнейшим фактором научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе ...

Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового Напряжения от кон ...