Перспективы развития

Светоизлучающий органический полевой транзистор [11].

Изобретение относится к области оптики, в частности к электролюминесцирующим наноструктурам, и может быть использовано при создании устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации. Сущность изобретения состоит в том, что активный слой выполнен в виде органической матрицы с внедренными в нее двухкомпонентными (ядро-оболочка) полупроводниковыми наночастицами. Диаметр полупроводникового ядра наночастиц может изменяться в пределах 2.0-6.0 нм а толщина полупроводниковой оболочки может изменяться в пределах 1.0-3.0 нм для перестройки длины волны излучения в пределах 400-650 нм видимого спектра. Изобретение может быть использовано для создания светоизлучающих органических полевых транзисторов с высоким квантовым выходом люминесценции и регулируемым спектром излучения в видимом диапазоне длин волн, что важно для создания алфавитно-цифровых дисплеев нового поколения.

Создание графеновых транзисторов [12]. Исследователи из HRL Laboratories объявили о создании графеновых полевых транзисторов, в которых подвижность зарядов в 6 - 8 раз превышает возможности современных кремниевых технологий. Для кремния экспериментально измеренная подвижность зарядов в кремнии составляет около 1400 квадратных сантиметров на вольт в секунду, для в графена подвижность может достигать 200 тысяч см2/В×с при комнатной температуре (правда, на практике пока был достигнут уровень лишь в 15 тысяч см2/В×с, что, более чем в 10 раз превосходит кремний). Исследователи из HRL Laboratories объявили о том, что им удалось создать устройства из единичного слоя графена на подложке из карбида кремния диаметром 2 дюйма. В транзисторах данного типа подвижность зарядов составляет порядка 6000 см2/В×с, что в 6 - 8 раз выше, чем у наиболее совершенной на сегодняшний день кремниевой технологии n-MOSFET.

-нм технология FinFET от Intel.[13] Впервые были запущены в серийное производство транзисторы с трехмерной структурой. О начале производства объемной транзисторной структуры Tri-Gate компания Intel известила общественность еще в 2002 г. Однако кристаллы с такими транзисторами корпорация начала продавать только в апреле: новые процессоры Intel носят кодовое имя Ivy Bridge. Трехзатворные транзисторы имеют структуру, представленную на рис. 12.

Рис. 12. Схема трехзатворного транзистора с ребрами: : gate - затвор, oxide - оксид кремния, silicon substrate - кремниевая подложка.

В 3D-транзисторе Tri-Gate используются три затвора, расположенных вокруг кремниевого канала в объемной структуре, что обеспечивает уникальное сочетание производительности и очень малого потребления - преимуществ, востребованных как в смартфонах и планшетах, так и для мощных процессоров для ПК и серверов. Высокая эффективность новых транзисторов при низком напряжении питания позволяет создавать новые микроархитектуры на базе 22-нм процессоров Intel Atom. Здесь в полной мере используются возможности технологии 3D Tri-Gate, обеспечивающей очень малое потребление.

Заключение

Развитие полупроводниковых приборов происходит весьма быстрыми темпами. Разрабатываются приборы для работы в области высоких частот, мощностей и температур при минимизации их размеров. Особое внимание уделяется повышению надежности, стабильности и долговечности работы транзисторов в различных режимах и условиях эксплуатации. Наиболее важным направлением развития электроники является миниатюризация приборов. Это связано с тем, бурным развитием микроэлектроники и вычислительной техники с цифровой обработкой различной информации. В данной курсовой работе представлена история создания полевых транзисторов, рассмотрены физические процессы в полевых транзисторах, приведена их классификация, приведены основные их характеристики и режимы работы в различных схемах включения, рассмотрено применение полевых транзисторов, перспективы их развития. Данная курсовая работа может быть использована в учебном процессе при изучении основ и применения полевых транзисторов.

Лучшие статьи по информатике

Суммирующий синхронный счетчик
В наше время проявляется тенденция к бурному развитию цифровой электроники. Курсовая работа предполагает рассмотрение и разработку такого устройства цифров ...

Проектирование системы атмосферной оптической связи
В настоящее время на мировом рынке САОС прочно заняли определенную нишу, так как эта технология является вполне достойным конкурентом стационарной радиосвя ...

Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация производства является на современном этапе важнейшим фактором научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе ...