Обработка на ассемблере

Рис. 9. Упрощённая схема входного каскада измерительного усилителя AD620

Рассмотрим "механизм" стабилизации режима входного каскада. Токовый режим транзисторов входного каскада определяется указанными выше токозадающими элементами (источниками тока), а также построением его схемы с цепями стабилизации. Отметим, что токозадающий элемент - это двухполюсник, характеризуемый постоянным выходным током независимо от приложенного напряжения (в "рабочих" пределах) и имеющий, соответственно, высокое динамическое сопротивление. На рис. 10 показаны токи в одном плече входного каскада, причём на рис. 10а-в - для разных коэффициентов усиления транзистора по постоянному току h21Э и при равенстве токов источников IK’ и IЭ’, а на рис. 10г - при их неравенстве. Коллекторный ток транзистора определяется током источника IК’ в предположении, что ток инвертирующего входа операционного усилителя (A1 и A2 на рис.11) равен нулю. Проставленные на рис. 10 численные значения токов и h21Э являются условными и приведены для наглядности в качестве примера.

Рис. 10. Распределение токов в цепях входного транзистора с разными значениями h21Э и IЭ'

На рис. 10а ток коллектора определяется источником IK’ и равен IK = 10 мкА. Ток базы, согласно (4), при h21Э = 100 и IКБ0 > 0 равен 0,1 мкА, а ток эмиттера при этом равен IЭ = IK + IБ = 10,1 мкА. Но в цепи эмиттера - источник IЭ’ с током 10 мкА, в связи с чем избыточная разность токов, равная 0,1 мкА, потечёт, как показано на рис. 10а, в относительно низкоомную цепь обратной связи и, далее, на выходы усилителей A1 и A2. В цепи базы включен источник IБ’, ток которого как раз равен требуемому току базы 0,1 мкА. Это - "номинальный" случай, соответствующий "компенсированному" режиму усилителя. Ток источника будет полностью использован базой транзистора, а в резисторе RБ ток будет отсутствовать. Соответственно, потенциал базы, "привязанный" через резистор RБ к нулевому потенциалу "земли", также будет равен нулю. Что касается потенциала коллектора, который соединён с инвертирующим входом A1 (A2), повторяющим потенциал неинвертирующего входа, то он будет равен E1 (E2), показанному на рис. 11. Потенциал эмиттера будет отличаться от потенциала базы (в данном случае, равного нулю) на величину напряжения "база-эмиттер", определяемого входной вольтамперной характеристикой транзистора, равную десятым долям вольта.

На рис. 10б коэффициент усиления транзистора h21Э = 200 (его увеличение может произойти, например, при повышении температуры). В результате, ток базы при IK’ = 10 мкА (условно будем считать, как и в первом случае, что IКБ0 > 0) будет равен IБ = 0,05 мкА, а избыток тока, обеспечиваемый источником IБ’, замкнётся через резистор RБ. Потенциал базы, определяемый падением напряжения на RБ, будет равен EБ = 50 мВ. На рис. 10в показан другой случай - с h21Э = 50, при котором ток базы будет равен 0,2 мкА. Его недостаток при токе источника 0,1 мкА, в отличие от избытка на рис. 10б, будет компенсирован током через резистор RБ (другого направления, по сравнению с предыдущим случаем). Потенциал базы при этом станет отрицательным и равным EБ = -100 мВ.

Лучшие статьи по информатике

Проектирование передатчика с угловой модуляцией сухопутной подвижной службы
При расчете радиопередающего устройства необходимо отметить назначение передатчика. Назначение передатчика - преобразование энергии источника питания в э ...

Разработка плана реконструкции с заменой аналоговой АТС на цифровую АТС Алмаз-1
В последние годы на телефонных сетях Российской Федерации внедряются новые системы АТС и узлы коммутации, которые обеспечивают качественную и надежную связь ...

Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ - устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к элек ...